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50n06参数中文
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ASE50N06参数描述 型号:ASE50N06 封装:TO-252-2L 特性:N沟道低压MOS管 电性参数:50A 60V 正向电流(Io):50A 静态漏极源导通电阻(RDS(ON)):15mΩ 功耗(PD):85W 二极管正向电压(VSD):1.2V 最大脉冲正向...
电流2A ,耐压600V 2N60,N前面的表示电流,N后面的数字表示耐压的1/10值 比如50N06,就是50A 60V
2、按照资料来判断50N60是N-MOS 3、从原理图以及N-MOS的用法来看,一般上端是漏极,下端是源极(接GND),左端控制为栅极(接控制)
CEP50N06 N沟道功率MOSFET 1-G 2-D 3-S 封装 TO-263\TO-220 最大功率131W 随温度上升降低 下面这个没有找到规格书只是百度到的仅作参考。K1250 P沟道功率MOSFET 1-G 2-D 3-S 封装 TO-247 最大功率150W 随...
50A,60V的MOS管,一般建议原型号代换。某宝上很多,几块钱一个。
飞虹国产型号:FHP60N06B型号参数来代换50N06型号。它作为N沟道增强型场效应晶体管,采用plane平面工艺来获得抗浪涌冲击能力强特点,广泛使用在汽车功放电源等抗冲击需求、逆变电源、功率开关的应用场景。
5) 场效应晶体管:功率管为RFP50N06。6) 集成电路 6.1)MC33035无刷直流电机控制器主控芯片。6.1.1)MC33035主控芯片各脚功能。6.1.2)1、2、24脚驱动上功率管,19、20、21脚驱动下功率管。6.1.3)第3...
p2003evg引脚电压:P2003BDG只是普通的N沟道场效应三极管而且,工作参数20A / 30V 多用于UPS电源推娩/显卡主供电部分/主板南-北桥供电/主板高端显卡辅助电源接口的供电部分。50N0655N0360N06还有提醒你的是在主板上出现“...
85N06,75N10等等,只要参数大点,都能直接代换,小一些也是可以的。
50N06 MOSFET晶体管. 目录. 参数. 数据表 (PDF)制造商零件编号: 50N06 种类: MOSFET 沟道类型: N 最大耗散功率 (Pd): 120 漏源电压 (Uds): 60 栅源电压 (Ugs): 20 最大漏极电流 (Id): 50 最大工作温度 (...