请问MOS管,IGBT,可控硅三者作为开关元件的区别是什么?分别都适用于哪些...

MOS管是场效应管，IGBT是复合管前管是场效应管，后管是NPN关，可控硅是二极管类，MOS管高阻输入，IGBT是高频大功率输出，可控硅可作交、直流开关，MOS管，IGBT只用直流

作用不同，应用不同。1、作用不同：可控硅是一种双向可导通的半导体开关，可以通过控制其触发角来调节电流的大小，在可控硅调光中，通过改变可控硅的触发角，控制电路的导通时间，从而达到调节灯光亮度的目的；MOS管除了具有信号放大作用，还具有开关作用，作为开关时，MOS管的开关速度要高于可控硅。2、应...

区别很大。最大的区别关断的方式不同，MOS管撤掉栅源电压就要关断，而可控硅需要负载电流为0,然后自动判断，所以可控硅大部分应用在脉动的直流或交流电中。一下子说不清

IGBT和MOS是全控器件，是电压型驱动，即通过控制栅极电压来开通或关断器件；可控硅是半控器件，电流型驱动，即给栅极通一定的电流，可以是可控硅开通，但是一旦开通，就不受栅极控制，将栅极的电压电流信号去除，仍然保持开通，只用流过可控硅的电流减小，或可控硅AK两端加反压，才能关断；IGBT和MOS频率可...

当然是MOS管速度快了。可控硅导通容易，但是不能自行关断；IGBT常用于大功率设备，需要专门的驱动，所以速度也受影响。高速小功率建议用MOS管。

三极管和MOS管的区别：1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。3、功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

个人认为MOS管好一些，可能是受航模的无刷电机调速器的影响。MOS管是电压驱动，速度快，功率大，汽车是12V的电压，应该比较合适。IGBT应该是用在电压比较高功率巨大的地方。你要是能用上估计也很好。达林顿管毕竟是三极管，电流驱动型的，速度肯定慢。

三极管和达林顿管都是电流型驱动,MOS管是电压型驱动.另MOS导通电阻小.适合在高频开关上用.开关损耗小.

比如一个开关控制一盏电灯，几个开关控制一个电动机，一般的元件是开关，电线，电源，灯具，或电动机构成开关电路。原理就是当一个开关闭合时电路形成了一个回路，电灯就亮了。

单管是只有一个管芯的IGBT或MOSFET；单管的电流一般比较小，50A以下；模块是在内部并联了若干个管芯的IGBT或MOSFET；模块的电流可以做得很大，可以达到数百甚至上千A。快恢复管也是同样。至于可控硅则不用模块技术，因为可控硅单管关心就可以做到很大的电流。