请问nand flash和nor flash有什么不同

（1）NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。（2）擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同，比如，4MFLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，而有的需要最大6S...

3、速度不同 N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I/O操作的时候的速度要快与NAND的速度。参考资料来源：百度百科—NAND闪存 百度百科—NOR Flash ...

NANDflash和NORflash的区别 两种并行FLASH Flash存储器又称闪存，是一种可以在线多次擦除的非易失性存储器，即掉电后数据不会丢失，具体积小、功耗低、抗振性强等优点，为嵌入式系统中典型的两种存储设备。1、NOR型Flash：如SST39VF160，可以直接读取芯片内存储器的数据，速度比较快，但价格较高；芯片...

（1）Nand Flash Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等 （2） Nor Flash NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是类似，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH ...

nandflash和norflash的区别如下：1、开发的公司不同：NORflash是intel公司1988年开发出了NORflash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP,eXecuteInPlace）。Nandflash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NANDflash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。/...

Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。相“flash存储器”...

Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。相“flash存储器”...

如s3c2410在被选择为NandFlash启动方式时会在上电时自动读取NandFlash的4k数据到地址0的SRAM中。如果CPU不具备这种特殊功能，用户不能直接运行NandFlash上的代码，那可以采取其他方式，比如好多使用NandFlash的开发板除了使用NandFlash以外，还用上了一块小的NorFlash来运行启动代码。

Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。相“flash存储器”...

（1）NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。（2）擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同，比如，4MFLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，而有的需要最大6S...