采用现代颗粒的内存颗粒特写第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存。第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U代表VDD=2.5...
1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；...
对应位置上1:不用我说你也看出来了当然是代表HY生产的颗粒喽 2:内存芯片类型:5D :DDR SDRAMS 3:工艺与工作电压V :CMOS,3.3V U : CMOS, 2.5V 4:芯片容量和刷新速率: 64 :64m, 4kref 66 :64m, 2kref 28 :128m,4kref 56 :256m,8kref 12 :512m,8kref 5: 芯片结构(数据宽度)4:X4(数据宽度4b...
其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K...
类型：“HY”现代的意思；“5”和“57”都代表SDRAM内存；“5D”代表DDR1内存；电压：是指处理工艺和供电电压（PROCESS & POWER SUPPLY）：对SDRAM和DDR1：空白是5V;“V”代表CMOS,3.3V；“U”代表CMOS,2.5V；密度：是指颗粒密度和刷新速度（DENSITY & REFRESH）：对SDRAM来说，“64”和“65”...
一、SDRAM内存芯片的旧编号 第1字段由HY组成，代表现代（Hynix）内存芯片的前缀。第2字段表示产品类型。57代表SDRAM内存；5D代表DDR SDRAM内存。第3字段表示工作电压。U代表CMOS、2.5V电压；V代表CMOS、3.3V电压。第4字段表示密度与刷新速度。4代表4Mbit密度、1K刷新速度；16代表16Mbit密度、4K刷新速度...
51. HJ：表示环保行业标准。52. HY：表示海洋行业标准。53. HGJ：表示化工行业工程建设规程。54. HG：表示化工行业标准。55. HB：表示航空行业标准。56. GY：表示广播电影电视行业标准。57. GH：表示供销合作行业标准。58. GA：表示公安行业标准。59. FZ：表示纺织行业标准。60. EJ：表示核工业...
HYUNDAI KOREA 是品牌 HY57V64820HG 0122A T-H ·“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。品牌：现代 “57”是内存芯片类型SD类型。“V”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V &...
1、HY代表现代。2、一般是57,代表SDRAM。3、工艺:空白则是5V,V是3V。4、内存单位容量和刷新单位:16:16M4K刷新;64:64M,8K刷新;65:64M,4K刷新;128:128M, 8K刷新;129:128M,4K刷新。5、数据带宽:40:4位,80:8位,16:16位,32:32位。6、芯片组成:1:2BANK,2:4BANK;3:8BANK;7、I/O界面:一般为08...
·“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。·“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)·“56”代表芯片容量密度...